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电子元器件详细资料 » IC[28108] » SUP85N10-10-E3
型号:SUP85N10-10-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C85A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C10.5 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs160nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6550pF @ 25V
功率_最大3.75W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
瀚佳科技(深圳)有限公司李先生 李小姐0755-23140719/23915992
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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SUP85N10-10-E3相关型号

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